입자의 크기 (즉, 입자의 크기)10μm) 는 유동성이 좋으며 건조 압축에 적합하지만 밀집을 촉진하기 위해 합금 과정에서 더 높은 온도 또는 더 긴 시간이 필요합니다. 합금 단계:울프레멘 탄화물의 얇은 입자는 합금 과정에서 높은 표면 에너지와 빠른 원자 확산 속도를 가지고 있습니다., 그래서 그들은 낮은 온도에서 밀폐를 달성 할 수 있습니다 (예를 들어 나노 텅스텐 탄화재의 합금 온도는 미크론 크기의 입자보다 100-200°C 낮습니다.)곡물 성장 위험을 줄이는 것거친 곡물 텅스텐 탄화물은 더 높은 합금 온도 (일반적으로 1400~1600°C) 를 필요로 하지만 곡물의 거친화를 일으키는 것이 쉽다.그리고 곡물 성장을 통제하기 위해 억제제를 추가해야 합니다.분산 및 균일성 미세 입자는 쉽게 집약합니다. and they need to be forced to depolymerize through processes such as high-energy ball milling and ultrasonic dispersion to ensure uniform distribution in the matrix (such as cobalt and nickel) to avoid "cobalt pools" or uneven performance of cemented carbide거친 입자는 비교적 쉽게 흩어집니다.그러나 큰 입자가 축적되어 포러시티가 증가하는 것을 피하기 위해 입자 크기 분포 범위 (D50=5μm 및 좁은 분포) 에주의를 기울여야합니다.. 3. 입자 크기를 제어하기위한 주요 기술 준비 방법 증기 퇴적 방법 (CVD): 나노 규모의 텅스텐 탄화물 가루는 균일한 입자 크기로 준비 할 수 있지만 비용이 높습니다.고품질 애플리케이션에 적합합니다.기계 합금 방법: 입자의 크기는 초미크론 수준으로 줄일 수 있습니다. 고 에너지 공 밀링을 통해 텅프렌-탄소 복합 가루를 분쇄함으로써,하지만 불순물이 들어오는 것을 막아야 합니다.스프레이 건조 - 탄화 방법:스프레이 방울 크기와 탄화 온도를 제어하여 미크론 수준의 입자 크기를 제어하는 일반적인 산업 방법 (D50 = 2-5μm)검출 및 특성화 레이저 입자 크기 분석기 (측정 범위 0.01-2000μm) 는 입자 크기 분포 (D10, D50, D90) 를 빠르게 얻기 위해 사용됩니다.전송 전자 현미경 (TEM) 과 스캐닝 전자 현미경 (SEM) 은 입자 형태 (구형) 를 관찰하는 데 사용됩니다., 다면체, 집적 상태) 및 곡물 경계 구조."> 텅프겐 탄화물 가루성능, 처리 기술 및 응용 시나리오에 영향을 미치는 주요 요소 중 하나입니다.각기 다른 입자 크기의 텅프렌 탄화물 분말은 물리적 특성에 상당한 차이를 나타냅니다., 준비 과정 및 실제 응용 프로그램 다음은 여러 차원의 입자 크기의 영향을 분석합니다:
I. 물리적 특성에 미치는 영향
경직성 및 마모 저항성
법칙: 일반적으로 입자 크기가 작을수록 (나노 스케일 / 서브 미크론), 강도와 마모 저항이 높습니다.
원리: 정밀 곡물 텅스텐 탄화물은 작은 곡물 크기와 더 높은 곡물 경계 밀도를 가지고 있습니다.부착 운동과 균열 확산을 효과적으로 방해할 수 있는 물질 (세밀 곡물 강화 효과)예를 들어, 나노 텅스텐 탄화물의 Vickers 경도는 2000HV 이상에 도달 할 수 있으며, 일반 미크론 수준의 텅스텐 탄화물 (약 1800HV) 보다 높습니다.그리고 극심한 마모 환경에 더 적합합니다 (항공 우주 밀폐 같은 것).
예외: 입자의 크기가 너무 얇으면 (<100nm 같은 경우), 입자는 밀도와 성능을 줄일 수 있는 " 부드러운 집적"을 형성하기 위해 쉽게 집적됩니다.
특정 면적 및 활동
법칙: 입자의 크기가 작을수록 표면 면적이 커지고 화학 활동이 높습니다.
적용:
나노 텅스텐 탄화물 가루는 촉매 운반자, 마모 저항 코팅 등 분야에서 더 많은 장점을 가지고 있습니다. (고성능은 인터페이스 결합을 촉진합니다.)
미크론 크기의 텅프렌 탄화물 분말 (1-5μm 등) 은 중도의 특이 표면적을 가지고 있습니다.이는 시멘트 탄화화물 시너링에서 반응 속도를 더 쉽게 제어하고 과도한 산화를 피하도록합니다..
2준비 과정에 미치는 영향
발형 및 합금 성능
압축 단계:
미세한 입자 (예를 들어 < 1μm) 는 유동성이 떨어지고 융합 물질 (파라핀, 고무 등) 또는 스프레이 곡물화 기술과 결합하여 형성성을 향상시켜야합니다.
거친 입자 (예를 들어> 10μm) 는 유동성이 좋으며 건조 압축에 적합하지만 밀폐를 촉진하기 위해 합금 과정에서 더 높은 온도 또는 더 긴 시간이 필요합니다.
시너지 단계:
울프레멘 탄화화물의 얇은 입자는 합금 과정에서 높은 표면 에너지와 빠른 원자 확산 속도를 가지고 있습니다.그래서 그들은 낮은 온도에서 밀집을 달성 할 수 있습니다 (예를 들어 나노 텅프스텐 탄화물의 합금 온도는 미크론 크기의 입자보다 100-200 °C 낮습니다.), 곡물 성장의 위험을 줄입니다.
거친 곡물 텅스텐 탄화물은 더 높은 합금 온도를 필요로합니다 (일반적으로 1400-1600°C), 그러나 곡물이 거칠어지기 쉽습니다.그리고 곡물 성장을 통제하기 위해 억제제를 추가해야 합니다., Cr3C2).
분산 및 균일성
미세한 입자는 쉽게 집적됩니다. and they need to be forced to depolymerize through processes such as high-energy ball milling and ultrasonic dispersion to ensure uniform distribution in the matrix (such as cobalt and nickel) to avoid "cobalt pools" or uneven performance of cemented carbide.
거친 입자는 비교적 쉽게 흩어집니다.그러나 큰 입자가 축적되어 포러시티가 증가하는 것을 피하기 위해 입자 크기 분포 범위 (D50=5μm 및 좁은 분포) 에주의를 기울여야합니다..
3입자 크기를 조절하는 핵심 기술
제조 방법
증기 퇴적 방법 (CVD): 나노 스케일 t10μm) 는 유동성이 좋으며 건조 압축에 적합하지만 밀집을 촉진하기 위해 합금 과정에서 더 높은 온도 또는 더 긴 시간이 필요합니다. 합금 단계:울프레멘 탄화물의 얇은 입자는 합금 과정에서 높은 표면 에너지와 빠른 원자 확산 속도를 가지고 있습니다., 그래서 그들은 낮은 온도에서 밀폐를 달성 할 수 있습니다 (예를 들어 나노 텅스텐 탄화재의 합금 온도는 미크론 크기의 입자보다 100-200°C 낮습니다.)곡물 성장 위험을 줄이는 것거친 곡물 텅스텐 탄화물은 더 높은 합금 온도 (일반적으로 1400~1600°C) 를 필요로 하지만 곡물의 거친화를 일으키는 것이 쉽다.그리고 곡물 성장을 통제하기 위해 억제제를 추가해야 합니다.분산 및 균일성 미세 입자는 쉽게 집약합니다. and they need to be forced to depolymerize through processes such as high-energy ball milling and ultrasonic dispersion to ensure uniform distribution in the matrix (such as cobalt and nickel) to avoid "cobalt pools" or uneven performance of cemented carbide거친 입자는 비교적 쉽게 흩어집니다.그러나 큰 입자가 축적되어 포러시티가 증가하는 것을 피하기 위해 입자 크기 분포 범위 (D50=5μm 및 좁은 분포) 에주의를 기울여야합니다.. 3. 입자 크기를 제어하기위한 주요 기술 준비 방법 증기 퇴적 방법 (CVD): 나노 규모의 텅스텐 탄화물 가루는 균일한 입자 크기로 준비 할 수 있지만 비용이 높습니다.고품질 애플리케이션에 적합합니다.기계 합금 방법: 입자의 크기는 초미크론 수준으로 줄일 수 있습니다. 고 에너지 공 밀링을 통해 텅프렌-탄소 복합 가루를 분쇄함으로써,하지만 불순물이 들어오는 것을 막아야 합니다.스프레이 건조 - 탄화 방법:스프레이 방울 크기와 탄화 온도를 제어하여 미크론 수준의 입자 크기를 제어하는 일반적인 산업 방법 (D50 = 2-5μm)검출 및 특성화 레이저 입자 크기 분석기 (측정 범위 0.01-2000μm) 는 입자 크기 분포 (D10, D50, D90) 를 빠르게 얻기 위해 사용됩니다.전송 전자 현미경 (TEM) 과 스캐닝 전자 현미경 (SEM) 은 입자 형태 (구형) 를 관찰하는 데 사용됩니다., 다면체, 집적 상태) 및 곡물 경계 구조."> 융스테인 탄화물 가루균일한 입자 크기로 만들 수 있지만 높은 비용으로 고급 애플리케이션에 적합합니다.
기계적 합금 방법: 입자의 크기는 초미크론 수준으로 줄일 수 있습니다. 고 에너지 공 밀링을 통해 텅프렌-탄소 복합 분자를 분쇄함으로써,하지만 불순물이 들어오는 것을 막아야 합니다..
스프레이 건조 - 탄화 방법: 스프레이 방울 크기와 탄화 온도를 제어하여 미크론 수준의 입자 크기를 제어하는 일반적인 산업 방법 (D50 = 2-5μm).
검출 및 특성화
레이저 입자 크기 분석기 (측정 범위 0.01-2000μm) 는 입자 크기 분포 (D10, D50, D90) 를 빠르게 얻기 위해 사용됩니다.
전송 전자 현미경 (TEM) 과 스캔 전자 현미경 (SEM) 은 입자 형태 (구형, 다면체, 집적 상태) 및 곡물 경계 구조를 관찰하는 데 사용됩니다.
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입자의 크기 (즉, 입자의 크기)10μm) 는 유동성이 좋으며 건조 압축에 적합하지만 밀집을 촉진하기 위해 합금 과정에서 더 높은 온도 또는 더 긴 시간이 필요합니다. 합금 단계:울프레멘 탄화물의 얇은 입자는 합금 과정에서 높은 표면 에너지와 빠른 원자 확산 속도를 가지고 있습니다., 그래서 그들은 낮은 온도에서 밀폐를 달성 할 수 있습니다 (예를 들어 나노 텅스텐 탄화재의 합금 온도는 미크론 크기의 입자보다 100-200°C 낮습니다.)곡물 성장 위험을 줄이는 것거친 곡물 텅스텐 탄화물은 더 높은 합금 온도 (일반적으로 1400~1600°C) 를 필요로 하지만 곡물의 거친화를 일으키는 것이 쉽다.그리고 곡물 성장을 통제하기 위해 억제제를 추가해야 합니다.분산 및 균일성 미세 입자는 쉽게 집약합니다. and they need to be forced to depolymerize through processes such as high-energy ball milling and ultrasonic dispersion to ensure uniform distribution in the matrix (such as cobalt and nickel) to avoid "cobalt pools" or uneven performance of cemented carbide거친 입자는 비교적 쉽게 흩어집니다.그러나 큰 입자가 축적되어 포러시티가 증가하는 것을 피하기 위해 입자 크기 분포 범위 (D50=5μm 및 좁은 분포) 에주의를 기울여야합니다.. 3. 입자 크기를 제어하기위한 주요 기술 준비 방법 증기 퇴적 방법 (CVD): 나노 규모의 텅스텐 탄화물 가루는 균일한 입자 크기로 준비 할 수 있지만 비용이 높습니다.고품질 애플리케이션에 적합합니다.기계 합금 방법: 입자의 크기는 초미크론 수준으로 줄일 수 있습니다. 고 에너지 공 밀링을 통해 텅프렌-탄소 복합 가루를 분쇄함으로써,하지만 불순물이 들어오는 것을 막아야 합니다.스프레이 건조 - 탄화 방법:스프레이 방울 크기와 탄화 온도를 제어하여 미크론 수준의 입자 크기를 제어하는 일반적인 산업 방법 (D50 = 2-5μm)검출 및 특성화 레이저 입자 크기 분석기 (측정 범위 0.01-2000μm) 는 입자 크기 분포 (D10, D50, D90) 를 빠르게 얻기 위해 사용됩니다.전송 전자 현미경 (TEM) 과 스캐닝 전자 현미경 (SEM) 은 입자 형태 (구형) 를 관찰하는 데 사용됩니다., 다면체, 집적 상태) 및 곡물 경계 구조."> 텅프겐 탄화물 가루성능, 처리 기술 및 응용 시나리오에 영향을 미치는 주요 요소 중 하나입니다.각기 다른 입자 크기의 텅프렌 탄화물 분말은 물리적 특성에 상당한 차이를 나타냅니다., 준비 과정 및 실제 응용 프로그램 다음은 여러 차원의 입자 크기의 영향을 분석합니다:
I. 물리적 특성에 미치는 영향
경직성 및 마모 저항성
법칙: 일반적으로 입자 크기가 작을수록 (나노 스케일 / 서브 미크론), 강도와 마모 저항이 높습니다.
원리: 정밀 곡물 텅스텐 탄화물은 작은 곡물 크기와 더 높은 곡물 경계 밀도를 가지고 있습니다.부착 운동과 균열 확산을 효과적으로 방해할 수 있는 물질 (세밀 곡물 강화 효과)예를 들어, 나노 텅스텐 탄화물의 Vickers 경도는 2000HV 이상에 도달 할 수 있으며, 일반 미크론 수준의 텅스텐 탄화물 (약 1800HV) 보다 높습니다.그리고 극심한 마모 환경에 더 적합합니다 (항공 우주 밀폐 같은 것).
예외: 입자의 크기가 너무 얇으면 (<100nm 같은 경우), 입자는 밀도와 성능을 줄일 수 있는 " 부드러운 집적"을 형성하기 위해 쉽게 집적됩니다.
특정 면적 및 활동
법칙: 입자의 크기가 작을수록 표면 면적이 커지고 화학 활동이 높습니다.
적용:
나노 텅스텐 탄화물 가루는 촉매 운반자, 마모 저항 코팅 등 분야에서 더 많은 장점을 가지고 있습니다. (고성능은 인터페이스 결합을 촉진합니다.)
미크론 크기의 텅프렌 탄화물 분말 (1-5μm 등) 은 중도의 특이 표면적을 가지고 있습니다.이는 시멘트 탄화화물 시너링에서 반응 속도를 더 쉽게 제어하고 과도한 산화를 피하도록합니다..
2준비 과정에 미치는 영향
발형 및 합금 성능
압축 단계:
미세한 입자 (예를 들어 < 1μm) 는 유동성이 떨어지고 융합 물질 (파라핀, 고무 등) 또는 스프레이 곡물화 기술과 결합하여 형성성을 향상시켜야합니다.
거친 입자 (예를 들어> 10μm) 는 유동성이 좋으며 건조 압축에 적합하지만 밀폐를 촉진하기 위해 합금 과정에서 더 높은 온도 또는 더 긴 시간이 필요합니다.
시너지 단계:
울프레멘 탄화화물의 얇은 입자는 합금 과정에서 높은 표면 에너지와 빠른 원자 확산 속도를 가지고 있습니다.그래서 그들은 낮은 온도에서 밀집을 달성 할 수 있습니다 (예를 들어 나노 텅프스텐 탄화물의 합금 온도는 미크론 크기의 입자보다 100-200 °C 낮습니다.), 곡물 성장의 위험을 줄입니다.
거친 곡물 텅스텐 탄화물은 더 높은 합금 온도를 필요로합니다 (일반적으로 1400-1600°C), 그러나 곡물이 거칠어지기 쉽습니다.그리고 곡물 성장을 통제하기 위해 억제제를 추가해야 합니다., Cr3C2).
분산 및 균일성
미세한 입자는 쉽게 집적됩니다. and they need to be forced to depolymerize through processes such as high-energy ball milling and ultrasonic dispersion to ensure uniform distribution in the matrix (such as cobalt and nickel) to avoid "cobalt pools" or uneven performance of cemented carbide.
거친 입자는 비교적 쉽게 흩어집니다.그러나 큰 입자가 축적되어 포러시티가 증가하는 것을 피하기 위해 입자 크기 분포 범위 (D50=5μm 및 좁은 분포) 에주의를 기울여야합니다..
3입자 크기를 조절하는 핵심 기술
제조 방법
증기 퇴적 방법 (CVD): 나노 스케일 t10μm) 는 유동성이 좋으며 건조 압축에 적합하지만 밀집을 촉진하기 위해 합금 과정에서 더 높은 온도 또는 더 긴 시간이 필요합니다. 합금 단계:울프레멘 탄화물의 얇은 입자는 합금 과정에서 높은 표면 에너지와 빠른 원자 확산 속도를 가지고 있습니다., 그래서 그들은 낮은 온도에서 밀폐를 달성 할 수 있습니다 (예를 들어 나노 텅스텐 탄화재의 합금 온도는 미크론 크기의 입자보다 100-200°C 낮습니다.)곡물 성장 위험을 줄이는 것거친 곡물 텅스텐 탄화물은 더 높은 합금 온도 (일반적으로 1400~1600°C) 를 필요로 하지만 곡물의 거친화를 일으키는 것이 쉽다.그리고 곡물 성장을 통제하기 위해 억제제를 추가해야 합니다.분산 및 균일성 미세 입자는 쉽게 집약합니다. and they need to be forced to depolymerize through processes such as high-energy ball milling and ultrasonic dispersion to ensure uniform distribution in the matrix (such as cobalt and nickel) to avoid "cobalt pools" or uneven performance of cemented carbide거친 입자는 비교적 쉽게 흩어집니다.그러나 큰 입자가 축적되어 포러시티가 증가하는 것을 피하기 위해 입자 크기 분포 범위 (D50=5μm 및 좁은 분포) 에주의를 기울여야합니다.. 3. 입자 크기를 제어하기위한 주요 기술 준비 방법 증기 퇴적 방법 (CVD): 나노 규모의 텅스텐 탄화물 가루는 균일한 입자 크기로 준비 할 수 있지만 비용이 높습니다.고품질 애플리케이션에 적합합니다.기계 합금 방법: 입자의 크기는 초미크론 수준으로 줄일 수 있습니다. 고 에너지 공 밀링을 통해 텅프렌-탄소 복합 가루를 분쇄함으로써,하지만 불순물이 들어오는 것을 막아야 합니다.스프레이 건조 - 탄화 방법:스프레이 방울 크기와 탄화 온도를 제어하여 미크론 수준의 입자 크기를 제어하는 일반적인 산업 방법 (D50 = 2-5μm)검출 및 특성화 레이저 입자 크기 분석기 (측정 범위 0.01-2000μm) 는 입자 크기 분포 (D10, D50, D90) 를 빠르게 얻기 위해 사용됩니다.전송 전자 현미경 (TEM) 과 스캐닝 전자 현미경 (SEM) 은 입자 형태 (구형) 를 관찰하는 데 사용됩니다., 다면체, 집적 상태) 및 곡물 경계 구조."> 융스테인 탄화물 가루균일한 입자 크기로 만들 수 있지만 높은 비용으로 고급 애플리케이션에 적합합니다.
기계적 합금 방법: 입자의 크기는 초미크론 수준으로 줄일 수 있습니다. 고 에너지 공 밀링을 통해 텅프렌-탄소 복합 분자를 분쇄함으로써,하지만 불순물이 들어오는 것을 막아야 합니다..
스프레이 건조 - 탄화 방법: 스프레이 방울 크기와 탄화 온도를 제어하여 미크론 수준의 입자 크기를 제어하는 일반적인 산업 방법 (D50 = 2-5μm).
검출 및 특성화
레이저 입자 크기 분석기 (측정 범위 0.01-2000μm) 는 입자 크기 분포 (D10, D50, D90) 를 빠르게 얻기 위해 사용됩니다.
전송 전자 현미경 (TEM) 과 스캔 전자 현미경 (SEM) 은 입자 형태 (구형, 다면체, 집적 상태) 및 곡물 경계 구조를 관찰하는 데 사용됩니다.
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